Mosfet Canal N IRF530N

El IRF530NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N de 100V en un paquete TO-220AB. Este MOSFET presenta una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio, clasificación dinámica de dv / dt, conmutación rápida y resistente, y está totalmente clasificado como avalancha. Como resultado, se sabe que estos MOSFET de potencia proporcionan una eficiencia y confiabilidad extremas que se pueden usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Presentación: Tubo plástico con 10 piezas

SKU: TS-IRF530N Categorías: , Etiquetas: , , ,

Descripción

IRF530N (NTE2396) TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA, CANAL N, 14A, 100V, TO-220

El IRF530NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N de 100V en un paquete TO-220AB. Este MOSFET presenta una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio, clasificación dinámica de dv / dt, conmutación rápida y resistente, y está totalmente clasificado como avalancha. Como resultado, se sabe que estos MOSFET de potencia proporcionan una eficiencia y confiabilidad extremas que se pueden usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Especificaciones técnicas:

Polaridad de transistor: N
Disipación total del dispositivo (Pd): 79 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 17 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.11 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220